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重磅!四部門發(fā)布指導意見,加大IGBT等核心部件研發(fā)!

欄目:行業(yè)動態(tài) 發(fā)布時間:2020-09-25
近日,國家發(fā)改委、科技部等四部門聯(lián)合發(fā)布《關于擴大戰(zhàn)略性新興產業(yè)投資 培育壯大新增長點增長極的指導意見》

近日,國家發(fā)改委、科技部等四部門聯(lián)合發(fā)布《關于擴大戰(zhàn)略性新興產業(yè)投資 培育壯大新增長點增長極的指導意見》(下稱意見)。意見指出,要加快新能源產業(yè)跨越式發(fā)展。聚焦新能源裝備制造“卡脖子”問題,加快主軸承、IGBT、控制系統(tǒng)、高壓直流海底電纜等核心技術部件研發(fā)。
    近年來,中美貿易戰(zhàn)不斷升級,進一步影響了全球產業(yè)鏈的完整性,美國通過限制核心技術和芯片出口,試圖壓制中國制造業(yè)的崛起,從中興事件,到華為孟晚舟扣押,美國步步緊逼,不僅限制了華為使用美國企業(yè)的芯片,同時還禁止全球代工廠為華為生產芯片。“卡脖子”格局如何打破?反觀華為斷芯“的背后,技術落后容易受人牽制,只有自主研發(fā)才能打破“卡脖子”問題,美國科技領域在世界領先,尤其高端核心技術,包括芯片、先進材料加工、光刻技術等等。此次意見的發(fā)布,表明了政策對產業(yè)的大力支持,攻克核心技術,自強發(fā)展。

此次意見提出要加快主軸承、IGBT、控制系統(tǒng)、高壓直流海底電纜等核心技術部件研發(fā)。其中,IGBT是一種電力電子器件,廣泛應用于工業(yè)、電力、新能源、家電等多個行業(yè),是變頻器、風電變流、光伏逆變器、電動汽車電控等產品的核心部件。目前,國內IGBT大部分依賴進口,雖然國產企業(yè)也推出了相應的產品,但仍然無法與外來品牌相比,市場占用率不足。雖然國內技術落后于國外,但全球一半的IGBT市場在中國,將成為本土廠商成長的最好驅動力。而近年來,政策大力推動產業(yè)發(fā)展,并帶動了資本市場,各方開始大力投資半導體。本土企業(yè)除了有可能在技術追上國際水平之外,在成本方面也是一個優(yōu)勢發(fā)力點。此外,第三代半導體材料的突破發(fā)展,很有可能是本土廠實現(xiàn)超車的彎道。國內廠商發(fā)起猛烈追趕!其實,近年國內IGBT廠商沒有停止過追趕,例如比亞迪已經將半導體公司拆分開來,比亞迪半導體研發(fā)的車規(guī)級IGBT已經發(fā)展到第四代水平,在汽車領域市場占比20%左右,僅次于排在全球第一的英飛凌。比亞迪半導體實現(xiàn)了IGBT的設計、研發(fā)、制造及服務,已經成為領先的半導體IDM企業(yè)。今年5月份,比亞迪半導體成功引入19億元戰(zhàn)略投資,隨后不久又增資8億元,兩輪資融資共27億元,引入了超過30家機構,目前公司估值已經超過百億,離沖擊上市又近了一步。未來幾年,本土廠商有很大的機會,隨著國內用戶對本土產品的認可,逐步使用國產IGBT代替進口,國產功率半導體產業(yè)將進一步打開成長空間。根據國內IGBT的龍頭斯達半導體的半年報,公司上半年實現(xiàn)營收4.16億元,同期增長13.65%,歸屬于上市公司股東的凈利潤8067.11萬元,同期增長25.3%。目前斯達半導體的IGBT產品已經超過600種,電壓級別涵蓋100V~3300V,主要用于變頻器、逆變焊機和UPS等產品,用戶包括有英威騰、匯川技術、歐瑞傳動、上海電驅動等。實際上,斯達半導體IGBT產品在2016年銷量就擠進了全球前十,而2018年上升到第八位。今年兩會期間,民進中央提出將第三代半導體產業(yè)寫入“十四五”規(guī)劃,國內IGBT廠商正在迎來發(fā)展良機,紛紛加快布局功率半導體產業(yè)。今年7月份,中車時代半導體有限公司計劃建汽車用750V精細溝槽IGBT芯片試制項目,內容包括基于已有8英寸IGBT芯片生產線和模塊封裝線,開展750V精細溝槽柵IGBT芯片的技術開發(fā),該項目己通過備案批復,總投資600萬元。


2008年收購英國丹尼克斯半導體公司75%股權,中車時代電氣就掌握IGBT芯片技術研發(fā)、模塊封裝測試和系統(tǒng)應用,并在2014年投產8英寸IGBT專業(yè)芯片生產線。目前,中車時代電氣完成了從650伏到6500伏IGBT芯片研發(fā),尤其在高壓IGBT芯片制造技術上實現(xiàn)了超越。隨著新能源電力的發(fā)展以及汽車電氣化演進,國內IGBT的市場容量將不斷擴大,而留給本土廠商的空間十分巨大。上半年,賽晶電力電子實現(xiàn)營業(yè)收入6.88億元,同比增長9.6%,扣非利潤為7723萬元,同比增長52.5%。公司在輸變電領域投資力度加強,多個特高壓直流輸電和柔性直流輸電項目取得良好進展。值得注意,賽晶電力電子在2019年上半年啟動了IGBT研發(fā)項目,而今年6月份位于嘉興市的賽晶IGBT功率半導體項目正式開工,其中一期項目占地34畝,規(guī)劃建設2條IGBT芯片背面工藝生產線、5條IGBT模塊封裝測試生產線,建成后年產能達200萬件高品質IGBT模塊產品。綜上所述,國產IBGT產業(yè)已經進入了一個長期拉力賽。相信在政策、市場和資本的推動下,陸續(xù)會有更多廠商進入,從上游材料到晶圓生產,再到IGBT的設計、制造等,一個龐大的產業(yè)鏈正在形成。目前,國內已經形成了一批有實力的廠商,除了上面提到的,還有中科君芯、宏微科技、無錫新潔能等,那么,國產IBGT將有望乘風破浪。