IGBT是一種新型電力半導體器件，兼具MOSFET與BJT的特點，簡單講，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。

根據工作電壓的高低，IGBT模塊一般被劃分為三類:低壓、中壓和高壓，低壓IGBT模塊一般用于消費電子、汽車零部件領域，中壓IGBT模塊一般用于新能源汽車、工業控制、家用電器等領域，高壓IGBT模塊一般用于軌道交通、新能源發電、智能電網等領域，其中新能源汽車領域需求的快速增長是高端IGBT市場規模增長最重要的驅動因素之一，營收占比達31%。

IGBT行業主要包括設計、制造、封測三大環節，根據產業鏈分工的差異劃分為Fabless、Foundry與IDM三種商業模式。

 SiC性能優良但短期難替代IGBT，新能源汽車普及在即，有望帶動車規級IGBT放量增長。IGBT技術不斷革新，已經迭代7代，朝著“小尺寸、高功率、低損耗”方向發展。SiCMOSFET雖性能優良，但在成本與可靠性上不具優勢，故目前全球產業化尚處起步階段。新能源汽車行業臨近拐點之年，高端車與低端車雙雙加速放量，預計2025年銷量有望達505萬輛，在新能源汽車等下游應用市場蓬勃發展的拉動下，IGBT供不應求，IGBT行業將持續向好發展，我們預計國內車規級IGBT2025年市場空間為152億元，2019-2025年CAGR約27%。

國內龍頭突圍IGBT市場，有望通過技術升級和低價換量實現進口替代。國內車規級IGBT行業呈寡頭壟斷格局，英飛凌占近六成份額，比亞迪破局而入，市場份額為18%，國產化程度比較低。

技術上，英飛凌、三菱等國際龍頭領先國內龍頭1代左右，且實現了產品低、中、高壓全覆蓋;成本上，低價材料疊加高效生產，使得國際龍頭成本占優，再考慮到其品牌高定價，故毛利率水平高于國內龍頭。

目前國內IGBT對外依存度超90%，進口替代迫在眉睫，以比亞迪、斯達半導為代表的國內龍頭正在加速推進IGBT國產化。

未來在與國際龍頭競爭中，國內龍頭有望在技術與成本上雙管齊下，一方面加快IGBT技術的自主研發，縮小與國際水平差距，另一方面擴產降本，以更低價格換取更多市場，真正實現核“芯”自主可控。